دیتاشیت PSMN102-200Y,115
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | PSMN102-200Y,115 |
---|---|
حجم فایل | 54.258 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 13 |
دانلود دیتاشیت PSMN102-200Y,115 |
PSMN102-200Y,115 Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Nexperia PSMN102-200Y,115
- Power Dissipation (Pd): 113W
- Drain Source Voltage (Vdss): 200V
- Continuous Drain Current (Id): 21.5A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@1mA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 102mΩ@10V,12A
- Package: LFPAK-56-5
- Manufacturer: Nexperia